SSD - Samsung 990 EVO SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280 - MZ-V9E2T0BW
1.167,00 kr.
SSD - Samsung 990 EVO SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280 - MZ-V9E2T0BW
Varenummer: 3224559
MZ-V9E2T0BW
MZ-V9E2T0BW
MZ-V9E2T0BW

Samsung 990 EVO SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280

SSD (Solid State Drive), 2 TB, intern, overførselshastighed: 5000 MB/s (læs) / 4200 MB/s (skriv), IOPS: 700000 IOPS (læs) / 800000 IOPS (skriv), størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 5.0 x4 tilslutning, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller, software: Samsung Magician software

1.167,00 kr. 933,60 kr. ekskl. moms
Billigste fragt (privatkunde) 33,00 kr.
Fjernlager, 3 dages levering

The Samsung 990 EVO solid state drive offers high capacity, swift data transfer speeds, and advanced security features for an effective storage solution. With a 2 TB capacity and speeds of up to 5000 MBps for reading and 4200 MBps for writing, it enhances your computing experience. The drive utilizes a PCI Express 5.0 x4 (NVMe) interface for efficient data transfers and operation. Security is prioritized with 256-bit AES hardware encryption and TCG Opal Encryption 2.0, ensuring your data is protected. Additionally, Dynamic Thermal Guard protection helps prevent overheating, maintaining performance during demanding tasks. Suitable for both professional and personal use, the Samsung 990 EVO is built to support high-performance computing environments.

Producent
Varenummer
3224559
Model
MZ-V9E2T0BW
Ean
8806095300269
Til producentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - 2 TB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
2 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM cache, S.M.A.R.T.
Dimensioner (B x D x H)
22 mm x 80 mm x 2.38 mm
Vægt
9 g
Producentgaranti
5 års garanti

Generelt

Enhedstype
Solid state-drev - intern
Kapacitet
2 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM cache, S.M.A.R.T.
Bredde
22 mm
Dybde
80 mm
Højde
2.38 mm
Vægt
9 g

Præstation

Intern datahastighed
5000 MBps (læs) / 4200 MBps (skriv)
4KB Random Read
22000 IOPS
4KB Random Write
90000 IOPS
Maximum 4KB Random Write
800000 IOPS
Maksimal 4 KB tilfældig læsning
700000 IOPS

Ekspansion og forbindelse

Kompatibel bås
M.2 2280

Effekt

Strømforbrug
5.4 Watt (læs)
4.7 Watt (skriv)

Programmer & Systemkrav

Med software
Samsung Magician Software

Diverse

Overensstemmelsesstandarder
IEEE 1667
Pakkedetaljer
Boks

Ovenstående informationer/specifikationer er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som kan virke misvisende.