Hjælp

SSD - Samsung 990 Pro SSD - 1TB - Uden køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9P1T0BW
Varenummer: 3103446
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW

Samsung 990 Pro SSD - 1TB - Uden køleprofil - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 1 TB, intern, overførselshastighed: 7450 MB/s (læs) / 6900 MB/s (skriv), IOPS: 1200000 IOPS (læs) / 1550000 IOPS (skriv), 1GB LPDDR4 RAM, størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 tilslutning, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), hardware kryptering: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller

På lager
899,00 kr. 719,20 kr. ekskl. moms
Billigste fragt (privatkunde) 33,00 kr.
+15 stk. På lager - 1-2 dages levering

Reach max performance of PCIe 4.0. Experience longer-lasting, opponent-blasting speed. The in-house controller's smart heat control delivers supreme power efficiency while maintaining ferocious speed and performance, to always keep you at the top of your game.

Producent
Varenummer
3103446
Model
MZ-V9P1T0BW
Ean
8806094215021
Til producentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - 1 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
1 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Dataoverførselshastighed
8 GBps
Egenskaber
TRIM support, stand-by modus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Dimensioner (B x D x H)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Vægt
9 g

Generelt

Enhedstype
Solid state-drev - intern
Kapacitet
1 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Egenskaber
TRIM support, stand-by modus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Bredde
22 mm
Dybde
80 mm
Højde
2.3 mm
Vægt
9 g

Præstation

SSD-udholdenhed
600 TB
Overføringshastighed, drev
8 GBps (ekstern)
Intern datahastighed
7450 MBps (læs) / 6900 MBps (skriv)
4KB Random Read
1200000 IOPS
4KB Random Write
1550000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl)
1,500,000 timer

Ekspansion og forbindelse

Kompatibel bås
M.2 2280

Effekt

Strømforbrug
5.4 Watt (læs)
5 Watt (skriv)
50 mW (ledig)
5 mW (L1.2 tilstand)

Programmer & Systemkrav

Med software
Samsung Magician Software

Diverse

Overensstemmelsesstandarder
VCCI, FCC, EAC, cRUus, IEEE 1667, UKCA
Pakkedetaljer
Boks

Ovenstående informationer/specifikationer er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som kan virke misvisende.