Varenummer: 3303620

Samsung 990 EVO Plus SSD - 1TB - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 1 TB, intern, overførselshastighed: 7150 MB/s (læs) / 6300 MB/s (skriv), IOPS: 850000 IOPS (læs) / 1350000 IOPS (skriv), størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 tilslutning, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller

På lager
1.690,00 kr. 1.352,00 kr. ekskl. moms
Billigste fragt (privatkunde) 33,00 kr.
15+ stk. På lager - 1-2 dages levering

Samsung 990 EVO Plus er et internt solid state-drev designet til krævende applikationer. Med en robust kapacitet på op til 4 TB sikrer det rigelig lagerplads til en række forskellige filer og applikationer. Drevet bruger PCI Express 5.0 og kan prale af interne datahastigheder på op til 7150 MB/s, hvilket giver mulighed for hurtig datahentning og minimale indlæsningstider. Samsungs V-NAND TLC-teknologi forbedrer ydeevne og holdbarhed, hvilket gør det velegnet til både daglig computerbrug og intensive opgaver. Dette drev er konstrueret til at modstå en række miljøforhold, fungerer effektivt i temperaturer fra 0°C til 70°C og modstår opbevaringstemperaturer så lave som -40°C og så høje som 85°C. Det har TRIM-understøttelse og en Auto Garbage Collection-algoritme, der sikrer optimal ydeevne over tid. Sikkerhed prioriteres med hardwarekryptering og overholdelse af TCG Opal Encryption 2.0, der beskytter data mod uautoriseret adgang.

Producent
Varenummer
3303620
Model
MZ-V9S1T0BW
Ean
8806095575674
Til producentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
1 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Egenskaber
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Dimensioner (B x D x H)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vægt
9 g

Generelt

Enhedstype
Solid state-drev - intern
Kapacitet
1 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Egenskaber
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Bredde
22.15 mm
Dybde
80.15 mm
Højde
2.38 mm
Vægt
9 g

Præstation

Intern datahastighed
7150 MBps (læs) / 6300 MBps (skriv)
Maximum 4KB Random Write
1350000 IOPS
Maksimal 4 KB tilfældig læsning
850000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl)
1.500.000 timer

Ekspansion og forbindelse

Kompatibel bås
M.2 2280

Effekt

Strømforbrug
4.3 watt (læs)
4.2 watt (skriv)
60 mW (standby)
5 mW (sov)

Programmer & Systemkrav

Med software
Samsung Magician Software

Diverse

Pakningsmateriale
Nikkelbelægning

Miljømæssige parametre

Min. driftstemperatur
0 °C
Maks. driftstemperatur
70 °C
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ)
1500 g @ 0,5 ms
Vibration tolerance (non-operativ)
20 g @ 20-2000 Hz

Ovenstående informationer/specifikationer kan løbende ændres. I tilfælde af trykfejl vedrørende pris eller udsolgte varer bestræber vi os på hurtigst muligt at opdatere siden. Hvis en pris er åbenlyst forkert, er Happii ikke forpligtet til at levere det pågældende produkt til den forkerte pris. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som virker misvisende.