SSD - Samsung 990 EVO Plus SSD - 4TB - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9S4T0BW
Varenummer: 3303622
MZ-V9S4T0BW
MZ-V9S4T0BW
MZ-V9S4T0BW
MZ-V9S4T0BW

Samsung 990 EVO Plus SSD - 4TB - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, overførselshastighed: 7250 MB/s (læs) / 6300 MB/s (skriv), IOPS: 1050000 IOPS (læs) / 1400000 IOPS (skriv), størrelse: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 tilslutning, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller

På lager
2.034,00 kr. 1.627,20 kr. ekskl. moms
Billigste fragt (privatkunde) 33,00 kr.
+15 stk. På lager - 1-2 dages levering

The Samsung 990 EVO Plus is an internal solid state drive designed for demanding applications. With a robust capacity of 1 TB, it ensures ample storage for a variety of files and applications. The drive utilizes PCI Express 5.0 and boasts internal data rates of up to 7150 MBps, allowing for quick data retrieval and minimal load times. Samsung’s V-NAND TLC Technology enhances performance and endurance, making it suitable for both everyday computing and intensive tasks. This drive is engineered to withstand a range of environmental conditions, operating effectively in temperatures from 0°C to 70°C and withstanding storage temperatures as low as -40°C and as high as 85°C. It features TRIM support and an Auto Garbage Collection Algorithm, ensuring optimal performance over time. Security is prioritized with hardware encryption and compliance with TCG Opal Encryption 2.0, safeguarding data against unauthorized access.

Producent
Varenummer
3303622
Model
MZ-V9S4T0BW
Ean
8806095575667
Til producentens hjemmeside
Produktbeskrivelse
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Type
Solid state-drev - intern
Kapacitet
4 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Egenskaber
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Dimensioner (B x D x H)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Vægt
9 g

Generelt

Enhedstype
Solid state-drev - intern
Kapacitet
4 TB
Hardware kryptering
Ja
Krypterings algoritme
256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type
Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model
M.2 2280
Grænseflade
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Egenskaber
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Bredde
22.15 mm
Dybde
80.15 mm
Højde
2.38 mm
Vægt
9 g

Præstation

Intern datahastighed
7250 MBps (læs) / 6300 MBps (skriv)
Maximum 4KB Random Write
1400000 IOPS
Maksimal 4 KB tilfældig læsning
1050000 IOPS

Driftssikkerhed

MTBF (forventet tid mellem fejl)
1.500.000 timer

Ekspansion og forbindelse

Kompatibel bås
M.2 2280

Effekt

Strømforbrug
5.5 Watt (læs)
4.8 Watt (skriv)
60 mW (standby)
5 mW (sov)

Programmer & Systemkrav

Med software
Samsung Magician Software

Diverse

Pakningsmateriale
Nikkelbelægning

Mål & vægt (forsendelse)

Bredde ved forsendelse
9.9 cm
Dybde ved forsendelse
2.29 cm
Højde ved forsendelse
14.2 cm

Ovenstående informationer/specifikationer kan løbende ændres. I tilfælde af trykfejl vedrørende pris eller udsolgte varer bestræber vi os på hurtigst muligt at opdatere siden. Hvis en pris er åbenlyst forkert, er Happii ikke forpligtet til at levere det pågældende produkt til den forkerte pris. Enkelte tekster kan være autogenererede eller maskinoversatte, og der kan derfor fremkomme tekster, som virker misvisende.